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工業硅中鐵鋁鈣錳鈦鎳銅鉻釩鈉硼含量測定儀
工業硅化學分析方法 第4部分 雜質元素含量的測定 電感耦合等離子體原子發射光譜法介紹
一、概述
GB/T 14849.4-2014是中華人民共和國國家標準，主要規定了工業硅中雜質元素含量的測定方法，特別是采用電感耦合等離子體原子發射光譜法（ICP-AES）進行測定。這一方法結合了原子發射光譜法的多元素同時測定優點和較寬的線性范圍，適用于固、液、氣態樣品的直接分析。
二、技術特點
多元素同時測定：ICP-AES技術允許同時對主、次、痕量元素成分進行測定，提高了分析效率。
寬線性范圍：該技術具有較寬的線性范圍，使得在測定不同濃度的元素時都能得到準確的結果。
直接分析：ICP-AES技術適用于固、液、氣態樣品的直接分析，無需復雜的樣品前處理過程。
三、測定步驟
雖然具體的測定步驟在GB/T 14849.4-2014中詳細規定，但通常ICP-AES法的分析過程可以概括為以下幾個步驟：
樣品準備：將工業硅樣品進行適當的處理，如研磨、溶解等，以便進行后續的測定。
激發：利用電感耦合等離子體作為激發光源，使樣品中的元素原子化并激發到高能級。
發射光譜：被激發的原子在回到基態時會發射特定波長的光，形成發射光譜。
光譜分析：通過光譜儀器將發射光譜分解為按波長排列的光譜線，利用光電器件檢測光譜，并進行定性和定量分析。
四、應用領域
規定的ICP-AES法不僅適用于工業硅中雜質元素含量的測定，也廣泛應用于冶金、機械、地質、環保、生化樣品分析以及食品安全監控等多個領域。
五、總結
中的電感耦合等離子體原子發射光譜法是一種高效、準確、多功能的分析技術，對于工業硅中雜質元素含量的測定具有重要意義。通過該技術，可以實現對工業硅中多種雜質元素的快速、準確測定，為工業硅的質量控制提供有力支持。
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